薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制

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	薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制
	王中健 ; 夏超 ; 徐大伟 ; 程新红 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉
刊名	半导体技术
	2012
期号	4 页码:254-257
关键词	绝缘体上硅横向扩散金属氧化物半导体击穿电压线性渐变掺杂注氧键合
ISSN号	1003-353X
中文摘要	针对600 V以上SOI高压器件的研制需要,分析了SOI高压器件在纵向和横向上的耐压原理。通过比较提出薄膜SOI上实现高击穿电压方案,并通过仿真预言其可行性。在埋氧层为3μm,顶层硅为1.5μm的注氧键合(Simbond)SOI衬底上开发了与CMOS工艺兼容的制备流程。为实现均一的横向电场,设计了具有线性渐变掺杂60μm漂移区的LDMOS结构。为提高纵向耐压,利用场氧技术对硅膜进行了进一步减薄。流片实验的测试结果表明,器件关态击穿电压可达600 V以上(实测832 V),开态特性正常,阈值电压提取为1.9 V,计算开态电阻为50Ω.mm2。
收录类别	CNKI2012-067
语种	中文
公开日期	2013-02-22
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111033]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王中健,夏超,徐大伟,等. 薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制[J]. 半导体技术,2012(4):254-257.
APA	王中健,夏超,徐大伟,程新红,宋朝瑞,&俞跃辉.(2012).薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制.半导体技术(4),254-257.
MLA	王中健,et al."薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制".半导体技术 .4(2012):254-257.