氮化镓基光子晶体激光二极管

	氮化镓基光子晶体激光二极管
	陆卫; 王少伟; 夏长生; 李宁; 李志锋; 张波; 陈平平; 陈效双; 陈明法
	2007-12-12
著作权人	中国科学院上海技术物理研究所
专利号	CN100355160C
国家	中国
文献子类	授权发明
其他题名	氮化镓基光子晶体激光二极管
英文摘要	本发明公开了一种氮化镓基光子晶体激光二极管，该激光二极管由在衬底上周期分布的二维光子晶体光学微腔构成。它的优点是：由于微腔采用光子晶体结构设计，形成一系列三维受限的微腔，在平面内两个维度方向都受到光子晶体结构的强烈限制，因此光会从这些微腔的垂直方向上发射出来。由于这种结构的激光只从各个微腔区域发出，占材料的总面积小，微腔中含有缺陷的几率明显下降，而微腔区域之外的光子晶体结构虽然含有缺陷，但对整个器件的发光性能基本没影响，从而明显降低器件对材料晶体质量的要求，尤其是缺陷密度。
公开日期	2007-12-12
申请日期	2005-11-23
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42791]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陆卫,王少伟,夏长生,等. 氮化镓基光子晶体激光二极管. CN100355160C. 2007-12-12.