| 一种微型硅光电二极管 | |
| 崔峰敏 | |
| 2016-07-06 | |
| 著作权人 | 傲迪特半导体(南京)有限公司 |
| 专利号 | CN205376553U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种微型硅光电二极管 |
| 英文摘要 | 一种微型硅光电二极管，硅晶片尺寸为0.5mm×0.3mm，有源区面积0.43mm×0.23mm，厚度为280±10μm，低掺杂的N型高阻硅衬底上设有高掺杂P型硅层，形成PN结，低掺杂的N型高阻硅衬底外环为高掺杂N型硅环，所述N型高阻硅衬底、高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环上有氮化硅钝化薄膜，所述高掺杂P型硅层和高掺杂N型硅环间的低掺杂N型高阻硅衬底向外凸起形成低掺杂外延硅层，所述氮化硅钝化薄膜上有圆角正方形状接触孔，所述接触孔内沉积金属Al作为阳极，N型高阻硅衬底的背面沉积金属Au作为阴极。本实用新型尺寸小，灵敏度高，可应用于光通信、激光二极管功率控制等领域。 |
| 公开日期 | 2016-07-06 |
| 申请日期 | 2015-12-01 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42596]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 傲迪特半导体(南京)有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔峰敏. 一种微型硅光电二极管. CN205376553U. 2016-07-06. |
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