| 一种新型高速半导体激光器的制作方法 | |
| 罗飚; 刘应军; 王任凡; 汤宝 | |
| 2018-07-10 | |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 专利号 | CN104966991B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种新型高速半导体激光器的制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明适用于光电子技术领域，提供了一种新型高速半导体激光器的制作方法，所述方法包括：制作外延片的脊波导结构；脊波导结构上通过等离子体增强化学气相沉积PECVD方法生长SiO2绝缘层，所述SiO2薄膜的厚度为2‑3um；在所述SiO2薄膜上使用光刻法，制作电极柱图形，光刻的窗口宽度为5‑2.5um；基于所述光刻的窗口，使用RIE刻蚀SiO2层，获取电极柱接口；通过所述电极柱接口制作P面电极，并通过减薄所述外延片制作N面电极。本发明实施例通过这种新型结构设计与传统激光器制作方法比较起来，本发明方法制作可以解决了后面打线封装的问题，利于大规模生产的需要。 |
| 公开日期 | 2018-07-10 |
| 申请日期 | 2015-06-29 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41061]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗飚,刘应军,王任凡,等. 一种新型高速半导体激光器的制作方法. CN104966991B. 2018-07-10. |
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