| 被动调Q单纵模激光器 | |
| 励盼攀 | |
| 2014-12-10 | |
| 著作权人 | 励盼攀 |
| 专利号 | CN204012176U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 被动调Q单纵模激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及一种被动调Q单纵模激光器，包括激光二极管(1)、第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)、激光晶体(4)、被动调Q晶体(5)和耦合器(6)，所述第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)依次设置在所述激光二极管(1)和激光晶体(4)之间，所述激光晶体(4)与被动调Q晶体(5)并列设置，所述被动调Q晶体(5)设置在激光晶体(4)和耦合器(6)之间。本实用新型提供的被动调Q单纵模激光器利用缩短腔长增加纵模间隔从而获得单纵模输出，得到单纵模连续的种子源结合主振荡放大器法获得大能量的输出，经过Q调制获得脉冲单纵模激光。 |
| 公开日期 | 2014-12-10 |
| 申请日期 | 2014-07-11 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40357]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 励盼攀 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 励盼攀. 被动调Q单纵模激光器. CN204012176U. 2014-12-10. |
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