单模光子晶体边发射半导体激光器 | |
郑婉华; 刘磊![]() | |
2016-04-27 | |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
专利号 | CN103825194B |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 单模光子晶体边发射半导体激光器 |
英文摘要 | 一种单模光子晶体边发射半导体激光器,包括一叠层结构,所述叠层结构包括:一下电极;一N型衬底制作在该下电极上;一N型限制层制作在该N型衬底上;一有源层制作在该N型限制层上;一P型限制层,其中间为沿纵向凸起的三段式波导,该三段式波导的两侧为相对的锥形波导,之间为光子晶体波导,其制作在该有源层之上;一P型盖层,其制作在该P型限制层上的三段式波导的上面;一SiO2绝缘层,其制作在P型限制层上的三段式波导的侧壁上,并覆盖P型限制层的上面,形成基片;以及一上电极,其制作在基片除了侧壁的上面。本发明通过光子晶体波导选择激光器的纵模和侧模,并利用对称双锥形结构放大激光功率,实现高功率、单模、低水平发散角激光输出的目的。 |
公开日期 | 2016-04-27 |
申请日期 | 2014-03-07 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40022] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,刘磊,刘云,等. 单模光子晶体边发射半导体激光器. CN103825194B. 2016-04-27. |
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