| MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料 | |
| 蒋锴; 李沛旭; 张新; 李树强; 夏伟; 汤庆敏; 胡小波; 徐现刚 | |
| 刊名 | 人工晶体学报
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| 2012 | |
| 期号 | S1页码:285-288 |
| 关键词 | 量子阱激光器 张应变 非对称结构 金属有机物化学气相沉积 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5204507 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.山东大学晶体材料国家重点实验室 2.山东华光光电子有限 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 蒋锴,李沛旭,张新,等. MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料[J]. 人工晶体学报,2012(S1):285-288. |
| APA | 蒋锴.,李沛旭.,张新.,李树强.,夏伟.,...&徐现刚.(2012).MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料.人工晶体学报(S1),285-288. |
| MLA | 蒋锴,et al."MOCVD生长GaAsP/InGa(Al)P/GaAs大功率808nm张应变量子阱激光器材料".人工晶体学报 .S1(2012):285-288. |
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