硅基Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究 | |
王世杰[1]; 代秀红[2]; 贾长江[3]; 张磊[4]; 贾艳丽[5]; 刘保亭[6] | |
刊名 | 人工晶体学报 |
2014 | |
卷号 | 43期号:10页码:2641-2645 |
关键词 | Ba0.6Sr0.4TiO3 脉冲激光沉积 漏电流 欧姆导电 |
ISSN号 | 1000-985X |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5078624 |
专题 | 河北大学 |
作者单位 | [1]河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002[2]河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002[3]河北大学电子信息工程学院,保定,071002[4]河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002[5]河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002[6]河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王世杰[1],代秀红[2],贾长江[3],等. 硅基Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究[J]. 人工晶体学报,2014,43(10):2641-2645. |
APA | 王世杰[1],代秀红[2],贾长江[3],张磊[4],贾艳丽[5],&刘保亭[6].(2014).硅基Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究.人工晶体学报,43(10),2641-2645. |
MLA | 王世杰[1],et al."硅基Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究".人工晶体学报 43.10(2014):2641-2645. |
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