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	Epitaxial growth of Ge film on 6H-SiC(0001) by LPCVD
	Han, Y. L.; Pu, H. B.; Zang, Y.; Li, L. B.
	2016
卷号	10页码:737-739
关键词	SiC/Ge heterostructure LPCVD Oswald coalescence Stranski-Krastanow mode
ISSN号	1842-6573
URL标识	查看原文
WOS记录号	WOS:000389728800023
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4985205
专题	西安理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Han, Y. L.,Pu, H. B.,Zang, Y.,et al. Epitaxial growth of Ge film on 6H-SiC(0001) by LPCVD[J],2016,10:737-739.
APA	Han, Y. L.,Pu, H. B.,Zang, Y.,&Li, L. B..(2016).Epitaxial growth of Ge film on 6H-SiC(0001) by LPCVD.,10,737-739.
MLA	Han, Y. L.,et al."Epitaxial growth of Ge film on 6H-SiC(0001) by LPCVD".10(2016):737-739.

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