| Growth of graphene/Ge/Si heterostructure on Si(001) substrate | |
| Zang, Yuan; Li, Lianbi; Chu, Qing; Han, Yuling; Pu, Hongbin; Feng, Xianfeng; Jin, Haili | |
| 2017 | |
| 卷号 | 205页码:162-164 |
| 关键词 | Graphene Ge film Heterostructure Raman XRD |
| ISSN号 | 0167-577X |
| DOI | 10.1016/j.matlet.2017.06.035 |
| URL标识 | 查看原文 |
| WOS记录号 | WOS:000405458800040 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4977775 |
| 专题 | 西安理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zang, Yuan,Li, Lianbi,Chu, Qing,et al. Growth of graphene/Ge/Si heterostructure on Si(001) substrate[J],2017,205:162-164. |
| APA | Zang, Yuan.,Li, Lianbi.,Chu, Qing.,Han, Yuling.,Pu, Hongbin.,...&Jin, Haili.(2017).Growth of graphene/Ge/Si heterostructure on Si(001) substrate.,205,162-164. |
| MLA | Zang, Yuan,et al."Growth of graphene/Ge/Si heterostructure on Si(001) substrate".205(2017):162-164. |
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