| A new Integrated MOS-GCT Structure with Dual Gate | |
| Wang, Cailin; Cao, Kangni; Yang, Jing | |
| 2018 | |
| 会议名称 | 2018 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid State Circuits, EDSSC 2018 |
| 会议日期 | 2018-06-06 |
| 会议地点 | Shenzhen, China |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4972387 |
| 专题 | 西安理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, Cailin,Cao, Kangni,Yang, Jing. A new Integrated MOS-GCT Structure with Dual Gate[C]. 见:2018 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid State Circuits, EDSSC 2018. Shenzhen, China. 2018-06-06. |
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