| 4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真 | |
| 张海鹏; 齐瑞生; 王德君; 王勇 | |
| 刊名 | 电力电子技术
 |
| 2011 | |
| 卷号 | 45页码:35-37 |
| 关键词 | 碳化硅 功率器件 电学特性 器件仿真 |
| ISSN号 | 1000-100X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4835674 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.杭州电子科技大学,电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州310018 2.大连理工大学,电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁大连116024 3.杭州汉安半导体有限公司,浙江杭州310018 4.杭州电子科技大学,电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室,浙江杭州310018 5.大连理工大学,电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁大连116024 6.杭州汉安半导体有限公司,浙江杭州,310018 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张海鹏,齐瑞生,王德君,等. 4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真[J]. 电力电子技术,2011,45:35-37. |
| APA | 张海鹏,齐瑞生,王德君,&王勇.(2011).4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真.电力电子技术,45,35-37. |
| MLA | 张海鹏,et al."4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真".电力电子技术 45(2011):35-37. |
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