MOCVD腔体压力对ZnO薄膜生长的影响 | |
刘远达; 柳阳; 杜国同; 梁红伟; 夏晓川; 杨建增; 冯艳彬; 宋世魏; 张克雄; 杨德超 | |
2012 | |
会议名称 | 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 |
会议日期 | 2012-11-07 |
会议地点 | 开封 |
页码 | 394-394 |
会议录 | 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4806165 |
专题 | 大连理工大学 |
作者单位 | 1.大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁省大连市,116024 2.大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁省大连市,116024 3.吉林大学电子与信息工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,吉林省长春市,130023 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘远达,柳阳,杜国同,等. MOCVD腔体压力对ZnO薄膜生长的影响[C]. 见:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议. 开封. 2012-11-07. |
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