一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明)
张吉英 ; 刘可为 ; 蒋大勇 ; 申德振 ; 赵东旭 ; 吕有明 ; 姚斌 ; 张振中 ; 李炳辉
2008-04-30
专利类型发明专利
权利人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中文摘要本发明属于半导体光电材料技术领域,涉及一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法,利用磁控溅射(RF  magnetron  sputtering)设备外延生长方法,获得高质量的MgZnO半导体三元合金薄膜;在合成的过程中可通过改变MgZnO陶瓷靶中MgO的浓度大小、衬底温度或者氩气和氧气流量来获得在240-320nm波段的……
公开日期2012-08-29
专利申请号200610130882.9
内容类型专利
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/11031]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
张吉英,刘可为,蒋大勇,等. 一种高镁浓度MgZnO薄膜的制备方法 (发明). 2008-04-30.
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