| 热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟 | |
| 张向宇; 关小军; 潘忠奔; 张怀金; 曾庆凯; 王进 | |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 2014 | |
| 卷号 | 43期号:4页码:771-777 |
| 关键词 | 直拉硅单晶 有限元 热屏位置 原生点缺陷 热应力 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4801544 |
| 专题 | 山东大学 |
| 作者单位 | 1.山东大学材料科学与工程学院, 晶体材料国家重点实验室, 济南, 山东 250061, 中国. 2.山东大学材料科学与工程学院, 晶体材料国家重点实验室, 济南 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张向宇,关小军,潘忠奔,等. 热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟[J]. 人工晶体学报,2014,43(4):771-777. |
| APA | 张向宇,关小军,潘忠奔,张怀金,曾庆凯,&王进.(2014).热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟.人工晶体学报,43(4),771-777. |
| MLA | 张向宇,et al."热屏位置对直拉硅单晶V/G、点缺陷和热应力影响的模拟".人工晶体学报 43.4(2014):771-777. |
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