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	High-performance enhancement-mode thin-film transistors based on Mg-doped In2O3 nanofiber networks
	Hongchao Zhang[1]; You Meng[1]; Longfei Song[1]; Linqu Luo[1]; Yuanbin Qin[2]; Ning Han[3]; Zaixing Yang[4]; Lei Liu[1]; Johnny C. Ho[5,6,7]; Fengyun Wang[1]
刊名	纳米研究：英文版
	2018
期号	03
关键词	IN2O3 晶体管 电影 联网 金属氧化物 电子学 漏电流 开关电流
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4569287
专题	山东大学
作者单位	College of Physics and Cultivation Base for State Key Laboratory, Qingdao Univers
推荐引用方式 GB/T 7714	Hongchao Zhang[1],You Meng[1],Longfei Song[1],et al. High-performance enhancement-mode thin-film transistors based on Mg-doped In2O3 nanofiber networks[J]. 纳米研究：英文版,2018(03).
APA	Hongchao Zhang[1].,You Meng[1].,Longfei Song[1].,Linqu Luo[1].,Yuanbin Qin[2].,...&Fengyun Wang[1].(2018).High-performance enhancement-mode thin-film transistors based on Mg-doped In2O3 nanofiber networks.纳米研究：英文版(03).
MLA	Hongchao Zhang[1],et al."High-performance enhancement-mode thin-film transistors based on Mg-doped In2O3 nanofiber networks".纳米研究：英文版 .03(2018).

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