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	Rear interface modification for efficient Cu(In,Ga)Se-2 solar cells processed with metallic precursors and low-cost Se vapor
	Li, Jianjun[1]; Deng, Baifei[1]; Zhu, Hongbing[1]; Guo, Fei[1]; You, Xiaochen[1]; Shen, Kai[1]; Wan, Meixiu[1]; Mai, Yaohua[1]
	2018
卷号	186页码:243
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4434419
专题	暨南大学
作者单位	[1]Jinan Univ, Inst New Energy Technol, Coll Informat Sci & Technol, Guangzhou 510632, Guangdong, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Li, Jianjun[1],Deng, Baifei[1],Zhu, Hongbing[1],et al. Rear interface modification for efficient Cu(In,Ga)Se-2 solar cells processed with metallic precursors and low-cost Se vapor[J],2018,186:243.
APA	Li, Jianjun[1].,Deng, Baifei[1].,Zhu, Hongbing[1].,Guo, Fei[1].,You, Xiaochen[1].,...&Mai, Yaohua[1].(2018).Rear interface modification for efficient Cu(In,Ga)Se-2 solar cells processed with metallic precursors and low-cost Se vapor.,186,243.
MLA	Li, Jianjun[1],et al."Rear interface modification for efficient Cu(In,Ga)Se-2 solar cells processed with metallic precursors and low-cost Se vapor".186(2018):243.

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