| O-band and C/L-band emission of InAs QDs monolithically grown on Ge and U-shape Si (001) platform | |
| Wang, Ting; Wei, Wen-Qi; Wang, Jian-Huan; Zhang, Jian-Jun | |
| 2018 | |
| DOI | 10.1364/CLEO_SI.2018.SW4I.6 |
| 收录类别 | EI |
| 会议录 | 2018 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2018 - Proceedings
 |
| 语种 | 英语 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4138967 |
| 专题 | 武汉大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, Ting,Wei, Wen-Qi,Wang, Jian-Huan,et al. O-band and C/L-band emission of InAs QDs monolithically grown on Ge and U-shape Si (001) platform[C]. 见:. |
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