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	Comment on "Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed"
	Liao, Lei
	2016
ISSN号	1936-0851
URL标识	查看原文
语种	英语
出处	ACS NANO
DOI标识	10.1021/acsnano.5b07083
卷号	10
收录类别	SCIE
期号	2
内容类型	其他
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4105254
专题	武汉大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Liao, Lei. Comment on "Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed". 2016-01-01.

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