汽相硅单晶生长

	汽相硅单晶生长
	斯崇奎 ; 黄兆斌 ; 杨传铮
刊名	半导体技术
	1982
期号	06
ISSN号	1003-353X
中文摘要	<正>一、前言用硅的卤化物进行化学汽相沉积直接生长硅单晶锭(CVD法)是比切克劳斯基法(CZ法)和悬浮区熔法(FZ法)更为简便的工艺。它在下述三方面引起了大家的兴趣: (1)作为生长低成本硅单晶锭的一种方法;
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104672]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	斯崇奎,黄兆斌,杨传铮. 汽相硅单晶生长[J]. 半导体技术,1982(06).
APA	斯崇奎,黄兆斌,&杨传铮.(1982).汽相硅单晶生长.半导体技术(06).
MLA	斯崇奎,et al."汽相硅单晶生长".半导体技术 .06(1982).