n型GaSb、InGaAsSb的MBE生长和特性研究

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	n型GaSb、InGaAsSb的MBE生长和特性研究
	郑燕兰 ; 李爱珍 ; 王建新 ; 茹国平 ; 李存才 ; 胡建
刊名	功能材料与器件学报
	1996
期号	04
ISSN号	10074252
中文摘要	本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104171]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	郑燕兰,李爱珍,王建新,等. n型GaSb、InGaAsSb的MBE生长和特性研究[J]. 功能材料与器件学报,1996(04).
APA	郑燕兰,李爱珍,王建新,茹国平,李存才,&胡建.(1996).n型GaSb、InGaAsSb的MBE生长和特性研究.功能材料与器件学报(04).
MLA	郑燕兰,et al."n型GaSb、InGaAsSb的MBE生长和特性研究".功能材料与器件学报 .04(1996).