GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定

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	GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定
	吴鼎芬 ; 徐梅娣 ; 胡素英 ; 俞志中
刊名	固体电子学研究与进展
	1986
期号	01
ISSN号	1000-3819
中文摘要	用椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪(AES)和X-光电子谱仪(XPS)等对经pH=7±0.05的H_2O_2-NH_40H溶液化学腐蚀或用NH_4OH:H_20=1:10和HCl:H_2O=1:1进行清洗后的GaAs表面残余氧化层厚度、折射率、纵向组分分布和Ga(3d)与As(3d)结合能变化等进行测定.三者实验结果对应很好.化学腐蚀后的GaAs表面有一层氧化物层,然后是氧化物与GaAs混合的过渡层,直至GaAs衬底.从NH_4OH:H_2O=1:10清洗后GaAs表面残余氧化层厚度,表面C吸附量和Ga/As的
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103916]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	吴鼎芬,徐梅娣,胡素英,等. GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定[J]. 固体电子学研究与进展,1986(01).
APA	吴鼎芬,徐梅娣,胡素英,&俞志中.(1986).GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定.固体电子学研究与进展(01).
MLA	吴鼎芬,et al."GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定".固体电子学研究与进展 .01(1986).