Achieving Multiple Resistance States in Phase-Change Memory Cell | |
Wang, K ; Han, XD ; Zhang, Z ; Wu, LC ; Liu, B ; Song, ZT ; Feng, SL | |
刊名 | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
2009 | |
卷号 | 48期号:7页码:74501-74501 |
关键词 | TRANSITION |
ISSN号 | 0021-4922 |
通讯作者 | Wang, K, Beijing Univ Technol, Inst Microstruct & Property Adv Mat, Beijing 100022, Peoples R China |
学科主题 | Physics, Applied |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-03-24 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/94764] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang, K,Han, XD,Zhang, Z,et al. Achieving Multiple Resistance States in Phase-Change Memory Cell[J]. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2009,48(7):74501-74501. |
APA | Wang, K.,Han, XD.,Zhang, Z.,Wu, LC.,Liu, B.,...&Feng, SL.(2009).Achieving Multiple Resistance States in Phase-Change Memory Cell.JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,48(7),74501-74501. |
MLA | Wang, K,et al."Achieving Multiple Resistance States in Phase-Change Memory Cell".JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 48.7(2009):74501-74501. |
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