| 题名 | 低密度InAs/InP量子点材料的研究 |
| 作者 | 高山 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 龚谦 |
| 关键词 | InAs量子点 单光子源 GSMBE 低密度 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 为了解决量子通信的安全性和量子密码实用化等问题，关键技术之一是研制一个真正的单光子光源。以S-K模式生长的量子点，由于量子尺寸限制效应，具有类似原子能级的分离能级结构，可以用来研制单光子源。 在InP衬底上制备InAs量子点的单光子源，能够实现发光波长在光通信非常重要的窗口1.55μm波段。高质量的单光子源除了要求满足通讯窗口的发光波长外，还要求实现一个量子点的发光，即要求低密度的量子点材料。通常用自组织技术生长的量子点密度一般都比较高，不能满足制备单光子源的要求，所以如何生长低密度的量子点材料是目前研究 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82533]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山. 低密度InAs/InP量子点材料的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2010. |
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