In_xGa_(1-x)As/GaAs自组织量子点材料、物理与器件

	In_xGa_(1-x)As/GaAs自组织量子点材料、物理与器件
	牛智川 ; 王晓东 ; 汪辉 ; 孔云川 ; 澜清 ; 周大勇 ; 苗振华 ; 封松林
	2001
会议名称	2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集
会议日期	2001
中文摘要	<正> 系统开展了分子束外延生长InGaAs/GaAs自组织量子点材料机理、物理特性和激光器制备研究。分别用GaAs和三种不同In组份(x分别为0.1,0.2,和0.3)InxGa1-xAs作覆盖层的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性。低温光荧光(PL)谱测试结果表明:与GaAs作覆盖层的:InAs/GaAs量子点结构相比,用3纳米的InxGa1-xAs外延层覆盖InAs/GaAs量子点,其发光峰能量明显向低能端移动(红
会议录	2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56320]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川,王晓东,汪辉,等. In_xGa_(1-x)As/GaAs自组织量子点材料、物理与器件[C]. 见:2001年纳米和表面科学与技术全国会议论文摘要集. 2001.