离子注入法制备掺Er-Al&lt;,2&gt;O&lt;,3&gt;薄膜的研究

	离子注入法制备掺Er-Al<,2>O<,3>薄膜的研究
	肖海波 ; 张昌盛 ; 林志浪 ; 陈志君 ; 张峰 ; 邹世昌
	2003
会议名称	第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
会议日期	2003
关键词	EDWA 光致发光泵谱吸收界面离子注入法 Er-Al< 2> O< 3> 薄膜
中文摘要	通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO<,2>上沉积Al<,2>O<,3>薄膜,在能量120keV剂量5×10<'15>cm<'-2>下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,发现700℃退火样品强度特别低.光透射谱表明几乎所有的测试范围内尤其在1.53um处700℃退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1.53um波长处透射强度随退火温度的变化跟PL谱中发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5n
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203618.aspx
会议录	第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56013]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	肖海波,张昌盛,林志浪,等. 离子注入法制备掺Er-Al<,2>O<,3>薄膜的研究[C]. 见:第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会. 2003.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_5203618.aspx.