用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构

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	用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构
	成海涛 ; 杨恒 ; 王跃林
	2009
会议名称	第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
会议日期	2009
关键词	金属氧化物半导体纳米梁位移检测压阻结构
中文摘要	提出一种新颖的MOS电容下压阻检测方案。MOS电容耗尽层下的掺杂区被用作力敏电阻来检测梁内应力，绕过了在纳米梁上进行高浓度、浅结深地掺杂这一障碍。在栅极施加偏置电压后，耗尽区宽度达到最大且仅与掺杂浓度有关，形成非对称的电阻结构，其对栅压的波动不敏感，相比于MOS沟道压阻方案更抗干扰。设计工艺流程和参数后，基于双端固支梁，制作了这种MOS电容下压阻检测结构。电学测量结果显示压阻厚度65.8nm，与测量计算结果63.8nm相吻合，表明了实验结果同理论计算的一致性。
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7207116.aspx
会议录	第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56003]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	成海涛,杨恒,王跃林. 用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构[C]. 见:第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议. 2009.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7207116.aspx.