C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究

	C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究
	吴雪梅 ; 诸葛兰剑 ; 柳襄怀
	2005
会议名称	《2005年功能材料学术年会》专辑
会议日期	2005
关键词	栅极电子发射薄膜材料表面相结构双离子束溅射
中文摘要	利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N<,2>保护下,通过在900~1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解决了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理.
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6013807.aspx
会议录	《2005年功能材料学术年会论文集》专辑
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55889]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	吴雪梅,诸葛兰剑,柳襄怀. C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究[C]. 见:《2005年功能材料学术年会》专辑. 2005.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_6013807.aspx.