基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器

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	基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器
	劳燕锋 ; 曹春芳 ; 吴惠桢 ; 曹萌 ; 刘成 ; 谢正生
	2008
会议名称	第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议日期	2008
关键词	垂直腔面发射激光器应变补偿多量子阱晶片键合 InAsP InGaAsP 布拉格反射镜有源谐振腔
中文摘要	本文以InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱为有源增益区,研制出室温连续工作的单模1.3-μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)。激光器谐振腔镜分别由SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs,Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)实现,由晶片直接键合方法进行InP基有源谐振腔与GaAs基DBR材料的融合,经过选择性侧向腐蚀p+-InP/n+-InAlAs隧道结定义电流限制孔径等器件工艺,最后通过电子束蒸发法沉积介质薄膜DBR制作出激光器件。单模VCSEL器件的室温阈值电流为0.75 mA,最高连续
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7088838.aspx
会议录	第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55678]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	劳燕锋,曹春芳,吴惠桢,等. 基于InAsP/InGaAsP量子阱的1.3-μm垂直腔面发射激光器[C]. 见:第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2008.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7088838.aspx.