水平温梯冷凝法生长ZnGeP2 单晶

	水平温梯冷凝法生长ZnGeP2 单晶
	王振友
刊名	功能材料
	2010
卷号	41 期号:增刊
学科主题	光学材料研究
公开日期	2011-12-07
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/4646]
专题	合肥物质科学研究院_中科院安徽光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王振友. 水平温梯冷凝法生长ZnGeP2 单晶[J]. 功能材料,2010,41(增刊).
APA	王振友.(2010).水平温梯冷凝法生长ZnGeP2 单晶.功能材料,41(增刊).
MLA	王振友."水平温梯冷凝法生长ZnGeP2 单晶".功能材料 41.增刊(2010).