气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器

	气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器
	杨海东 ; 李世国 ; 陈朋 ; 高山 ; 徐承福 ; 龚谦
刊名	半导体技术
	2010
期号	09
关键词	负载均衡生存周期多Sink 无线带状传感网路由协议
ISSN号	1003-353X
中文摘要	利用气源分子束外延(GSMBE)技术,在InP(100)衬底上生长InAs量子点激光器。有源区包含5层InAs量子点,每层量子点的平均尺寸是2.9 nm和76 nm,面密度在1010cm-2左右,势垒层为InGaAsP。室温下量子点的光致发光中心波长在1.55μm,发光峰半高宽为108 meV。通过化学湿法腐蚀制备双沟道8μm宽脊条激光器,在20℃连续波工作模式下,腔长为0.7 mm的激光器的阈值电流为143 mA(2.5 kA/cm2),器件的激射中心波长在1.55μm。由于量子点尺寸的非均匀性,在大电
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52437]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杨海东,李世国,陈朋,等. 气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器[J]. 半导体技术,2010(09).
APA	杨海东,李世国,陈朋,高山,徐承福,&龚谦.(2010).气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器.半导体技术(09).
MLA	杨海东,et al."气源分子束外延生长的InAs/InP(100)量子点激光器".半导体技术 .09(2010).