HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究

	HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究
	蒋军 ; 冯涛 ; 张继华 ; 戴丽娟 ; 程新红 ; 宋朝瑞 ; 王曦 ; 柳襄怀 ; 邹世昌
刊名	真空电子技术
	2006
期号	01
关键词	悬臂梁探卡 MEMS
ISSN号	1002-8935
中文摘要	利用PECVD方法在硅衬底上生长碳纳米管薄膜,然后采用IBAD方法在薄膜上沉积5 nm的Hf,在高温下退火后在表面形成HfC。研究了经过HfC处理前后碳纳米管膜的场发射性能,结果表明经过HfC处理后碳纳米管膜的场发射性能得到明显改善,并对提高碳纳米管场发射性能的机理进行了探讨。此方法为提高碳纳米管场发射性能提供了一种新的思路。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50927]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	蒋军,冯涛,张继华,等. HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究[J]. 真空电子技术,2006(01).
APA	蒋军.,冯涛.,张继华.,戴丽娟.,程新红.,...&邹世昌.(2006).HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究.真空电子技术(01).
MLA	蒋军,et al."HfC涂覆碳纳米管增强场发射性能研究".真空电子技术 .01(2006).