适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析

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	适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析
	程新红 ; 王洪涛 ; 宋朝瑞 ; 俞跃辉 ; 袁凯 ; 许仲德
刊名	温州师范学院学报(自然科学版)
	2006
期号	02
关键词	微型直接甲醇燃料电池催化剂质子交换膜膜电极组件甲醇渗透
ISSN号	1006-0375
中文摘要	设计了一种新型图形化SOI(patterned-Silicon-On-Insulator)LDMOSFET(lateraldouble-diffusedMOSFETs)结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性,而且能抑制自加热效应和浮体效应.当漂移区长度为3μm时,开态击穿电压可达到30V、关态电压为71V、截止频率6.2GHz、最大振荡频率20GHz,2GHz时、栅偏压3V时的输出功率为0.8W/mm、功率增益为28dB.这些电学参数适合2
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50851]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	程新红,王洪涛,宋朝瑞,等. 适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析[J]. 温州师范学院学报(自然科学版),2006(02).
APA	程新红,王洪涛,宋朝瑞,俞跃辉,袁凯,&许仲德.(2006).适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析.温州师范学院学报(自然科学版)(02).
MLA	程新红,et al."适合基站放大器应用的图形化SOILDMOSFET的设计与分析".温州师范学院学报(自然科学版) .02(2006).