nio为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能

	nio为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能
	郭起玲 1; 李景灵 2; 何新华 1; 徐雪青2
刊名	人工晶体学报
	2018
卷号	47 期号:3 页码:556
ISSN号	1000-985X
英文摘要	采用溶液法制备NiO纳米晶,利用XRD、TEM、UPS表征样品并将其应用于结构为ITO/NiO/PVK/QDs/ZnO/Ag的量子点发光二极管(QLED)中。XPS测试表明紫外臭氧处理可诱导NiO晶格内部产生Ni~(3 +)离子,通过引入多次旋涂和多次紫外臭氧处理相结合的工艺,获得Ni~(3 +)离子含量增多且分布均匀的NiO薄膜。研究结果显示:随着旋涂NiO次数的增加,器件性能呈现出逐渐改善趋势,当旋涂4次时,器件获得最佳效果,其中最佳发光强度从184 cd/m~2提高到4775 cd/m~2,最大电流效率为0.54 cd/A,最大外量子效率为0.22%,与未改善的单层NiO基QLED相比,均提高超过50倍。
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/20283]
专题	中国科学院广州能源研究所
作者单位	1.华南理工大学 2.中国科学院广州能源研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	郭起玲,李景灵,何新华,等. nio为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能[J]. 人工晶体学报,2018,47(3):556.
APA	郭起玲,李景灵,何新华,&徐雪青.(2018).nio为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能.人工晶体学报,47(3),556.
MLA	郭起玲,et al."nio为空穴传输层的量子点发光二极管及其性能".人工晶体学报 47.3(2018):556.