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	基于键合线等效电阻的IGBT模块老化失效研究 Study of IGBT Module Aging Failure Base on Bond Wire Equivalent Resistance
	彭英舟[1]; 周雒维[1]; 张晏铭[1]; 孙鹏菊[1]; 杜雄[1]
	2017
卷号	32页码:117-123
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3032121
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	彭英舟[1],周雒维[1],张晏铭[1],等. 基于键合线等效电阻的IGBT模块老化失效研究 Study of IGBT Module Aging Failure Base on Bond Wire Equivalent Resistance[J],2017,32:117-123.
APA	彭英舟[1],周雒维[1],张晏铭[1],孙鹏菊[1],&杜雄[1].(2017).基于键合线等效电阻的IGBT模块老化失效研究 Study of IGBT Module Aging Failure Base on Bond Wire Equivalent Resistance.,32,117-123.
MLA	彭英舟[1],et al."基于键合线等效电阻的IGBT模块老化失效研究 Study of IGBT Module Aging Failure Base on Bond Wire Equivalent Resistance".32(2017):117-123.

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