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	SOI high-voltage LDMOS with novel triple-layer top silicon based on thin BOX
	Hu, S. D.[1,2]; Zhang, L.[1]; Luo, J.[2]; Tan, K. Z.[2]; Chen, W. S.[2]; Gan, P.[1]; Zhou, X. C.[1]; Zhu, Z.[1]
	2013
卷号	49页码:223-224
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2967556
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Hu, S. D.[1,2],Zhang, L.[1],Luo, J.[2],et al. SOI high-voltage LDMOS with novel triple-layer top silicon based on thin BOX[J],2013,49:223-224.
APA	Hu, S. D.[1,2].,Zhang, L.[1].,Luo, J.[2].,Tan, K. Z.[2].,Chen, W. S.[2].,...&Zhu, Z.[1].(2013).SOI high-voltage LDMOS with novel triple-layer top silicon based on thin BOX.,49,223-224.
MLA	Hu, S. D.[1,2],et al."SOI high-voltage LDMOS with novel triple-layer top silicon based on thin BOX".49(2013):223-224.

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