一种半导体器件及其制造方法

	一种半导体器件及其制造方法
	徐烨锋; 闫江; 唐兆云; 唐波; 许静
	2018-06-01
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410478359.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在部分衬底上形成第一半导体层，在衬底及第一半导体层上形成第二半导体层，衬底上形成隔离，其中，第一半导体层包括位于部分有源区内的第一部分和向栅极端部方向延伸的第二部分，第一部分在栅宽方向与有源区同宽且在栅长方向的宽度大于或等于栅长；在第二半导体层的有源区上形成器件结构，器件结构的栅极位于第一部分之上；在第二部分之上的第二半导体层中形成贯通的刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除第一半导体层，以形成空腔；在空腔及刻蚀孔中填充介质材料，以分别形成埋层及绝缘孔。本发明通过体衬底实现具有部分埋层的类SOI器件，埋层和沟道的厚度可调。
公开日期	2016-04-13
申请日期	2014-09-18
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18793]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	徐烨锋,闫江,唐兆云,等. 一种半导体器件及其制造方法. CN201410478359.X. 2018-06-01.