浅沟槽隔离制造方法

	浅沟槽隔离制造方法
	王桂磊; 杨涛; 闫江; 唐兆云
	2018-03-30
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210297229.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种浅沟槽隔离制造方法，包括：在衬底中形成浅沟槽；执行离子注入，在浅沟槽底部的衬底中形成掺杂区；执行热氧化，在浅沟槽底部形成垫氧化层；在浅沟槽中填充沉积氧化物，形成具有倒梯形截面的浅沟槽隔离。依照本发明的浅沟槽隔离制造方法，通过在浅沟槽底部注入掺杂离子以加速氧化，使得采用氧化物填充浅沟槽过程中在浅沟槽底部增生了氧化物，最终形成了具有倒梯形截面的浅沟槽隔离，从而提高了器件隔离性能。
公开日期	2014-03-12
申请日期	2012-08-20
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18772]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王桂磊,杨涛,闫江,等. 浅沟槽隔离制造方法. CN201210297229.7. 2018-03-30.