FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain | |
Zhu HL(朱慧珑); Zhao C(赵超); Yin HX(殷华湘); Zhong HC(钟汇才); Zhang QZ(张青竹); Luo J(罗军) | |
2017-10-16 | |
文献子类 | 会议论文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18278] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhu HL,Zhao C,Yin HX,et al. FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain[C]. 见:. |
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