七级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法

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	七级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法
	韦亚一; 苏晓菁; 董立松; 张利斌
	2017-10-24
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201610140991.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种七级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法。在该七级衍射光栅结构包括晶圆以及形成于晶圆上的光栅图形结构。光栅图形结构由光栅精细结构单元组成，光栅精细结构单元的宽度为一个光栅周期，所述光栅精细结构单元在宽度方向上等分为28个区域，每个区域上设置有第一图形结构1st或第二图形结构2nd；1st和2nd在光栅图形结构的宽度方向上按照不同顺序排列形成不同的光栅精细结构单元，所述光栅精细结构单元为第一至第七光栅精细结构单元的任一种。该光栅结构能够有效提高光栅的衍射光强，增大光刻时在对准光栅之上涂覆材料及其厚度的可选择范围，降低对准不确定性范围，提高精确对准精度。
公开日期	2016-05-04
申请日期	2016-03-11
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17908]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	韦亚一,苏晓菁,董立松,等. 七级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法. CN201610140991.2. 2017-10-24.