一种半导体结构及其制造方法

	一种半导体结构及其制造方法
	骆志炯; 朱慧珑; 尹海洲
	2013-01-02
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201190000066.0
国家	中国
文献子类	实用新型
英文摘要	本申请公开了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的半导体鳍片，在所述半导体衬底和所述半导体鳍片之间还包括刻蚀停止层，所述半导体鳍片的侧壁方向接近或位于硅的{111}晶面，并且所述半导体衬底为{112}Si衬底。所述半导体鳍片具有良好的表面质量和减少的晶体缺陷，可用于制造FinFET。
申请日期	2011-03-04
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14457]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	骆志炯,朱慧珑,尹海洲. 一种半导体结构及其制造方法. CN201190000066.0. 2013-01-02.