一种半导体结构及其制造方法

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	一种半导体结构及其制造方法
	尹海洲; 朱慧珑; 骆志炯
	2015-11-25
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
专利号	CN201110297623.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底，包括半导体层以及位于该半导体层之上的绝缘层；第一半导体鳍片和第二半导体鳍片，并行地位于所述衬底之上；第一源/漏区和第二源/漏区，该第一源/漏区位于与所述第一半导体鳍片的两端相连接的第一源/漏结构中，该第二源/漏区位于与所述第二半导体鳍片的两端相连接第二源/漏结构中；第一栅堆叠和第二栅堆叠，分别位于所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片相背离的外侧侧壁上；其中，在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间存在介电层。本发明形成了两个独立的半导体器件，便于施加不同的源/漏电压进行控制。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。
公开日期	2013-04-10
申请日期	2011-09-30
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14331]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	尹海洲,朱慧珑,骆志炯. 一种半导体结构及其制造方法. CN201110297623.6. 2015-11-25.