微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究

	微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究
	夏洋; 景玉鹏; 黄洛俊; 康恒; 程嵩; 李勇滔
刊名	微电子学
	2017-10-01
文献子类	期刊论文
英文摘要	针对半导体工艺中去离子水的表面张力导致显影干燥过程中光刻胶纳米线条容易发生倒伏的问题，采用了微波干燥方法，以抑制光刻胶纳米线条倒伏。利用微波的热效应和非热效应，降低去离子水的表面张力，使光刻胶纳米线条上的去离子水均匀、快速地蒸发，有效抑制了光刻胶纳米线条的倒伏。与氮气干燥处理的传统方法相比，该方法能使高１３０ｎｍ、宽１５ｎｍ的光刻胶纳米线条不发生倒伏，效果明显。这表明，该方法是可行和有效的。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18075]
专题	微电子研究所_微电子仪器设备研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	夏洋,景玉鹏,黄洛俊,等. 微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究[J]. 微电子学,2017.
APA	夏洋,景玉鹏,黄洛俊,康恒,程嵩,&李勇滔.(2017).微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究.微电子学.
MLA	夏洋,et al."微波用于抑制光刻胶纳米线条倒伏的研究".微电子学 (2017).