超低 κ介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展

	超低 κ介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展
	王守国
刊名	微纳电子技术
	2011-11-01
英文摘要	介绍了三类常见的低 κ介质材料，并对空气隙（κ=1）的发展进行了探讨；讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的 O2等离子体去胶工艺面临的困难；最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低 κ 材料进行硅化处理的工艺，可以部分修复在刻蚀和去胶处理过程中被消耗掉的有机官能团。基于金属硬掩膜层和新型等离子体化学的集成方案将会展示出颇具前景的结果。
公开日期	2012-11-14
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/9205]
专题	微电子研究所_微电子仪器设备研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	王守国. 超低 κ介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展[J]. 微纳电子技术,2011.
APA	王守国.(2011).超低 κ介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展.微纳电子技术.
MLA	王守国."超低 κ介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展".微纳电子技术 (2011).