基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法

	基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法
	陈大鹏; 明安杰; 刘卫兵; 孙西龙; 王玮冰
	2018-06-22
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201610798783.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开一种基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法。所述基于湿法预释放结构的MEMS红外光源包括嵌入式空腔的承载衬底及所述承载衬底上的红外光源结构；所述红外光源结构设有支撑层、隔离层、图形化金属电极以及辐射层；所述图形化金属电极沉积在隔离层上面，所述辐射层制备在图形化金属电极上表面，所述辐射层、图形化金属电极、隔离层、支撑层均沉积在具有所述嵌入式空腔的衬底上。本发明能够提高光源的辐射效率，操作简单，功耗和成本较低，稳定性高，且与CMOS工艺兼容。
公开日期	2016-12-07
申请日期	2016-08-31
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18605]
专题	微电子研究所_智能感知研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈大鹏,明安杰,刘卫兵,等. 基于湿法预释放结构的MEMS红外光源及其制备方法. CN201610798783.1. 2018-06-22.