| 题名 | SiC MOS器件中SiC材料应力对SiO2/SiC界面的影响机理 |
| 作者 | 王世海 |
| 答辩日期 | 2019-05-21 |
| 文献子类 | 硕士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 导师 | 许恒宇 |
| 学位专业 | 集成电路工程 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.ime.ac.cn/handle/172511/19315]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王世海. SiC MOS器件中SiC材料应力对SiO2/SiC界面的影响机理[D]. 中国科学院大学. 2019. |
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