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	High Temperature 1MHz CapacitanceVoltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System
	KeAn Liu; Peng CY(彭朝阳); Wang SK(王盛凯); Bai Y(白云); Tang YD(汤益丹); XiMing Chen; Li CZ(李诚瞻); Liu XY(刘新宇)
刊名	J. Appl. Phys.
	2018-04-07
文献子类	期刊论文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18996]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	KeAn Liu,Peng CY,Wang SK,et al. High Temperature 1MHz CapacitanceVoltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System[J]. J. Appl. Phys.,2018.
APA	KeAn Liu.,Peng CY.,Wang SK.,Bai Y.,Tang YD.,...&Liu XY.(2018).High Temperature 1MHz CapacitanceVoltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System.J. Appl. Phys..
MLA	KeAn Liu,et al."High Temperature 1MHz CapacitanceVoltage Method for Evaluation of Border Traps in 4HSiC MOS System".J. Appl. Phys. (2018).

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