FRD的制备方法

	FRD的制备方法
	喻巧群; 吴振兴; 朱阳军; 谈景飞; 胡爱斌; 赵佳; 陆江; 陈宏
	2018-07-06
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 江苏中科君芯科技有限公司 ; 江苏物联网研究发展中心 ;
专利号	CN201210371807.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种FRD的制备方法，包括：在N-型衬底上制备芯片的正面结构；在N-型衬底上制备芯片的背面结构；将所述芯片正面结构上表面涂抹光刻胶，再将多孔铅金属薄膜掩膜板覆盖在光刻胶上，然后对芯片进行曝光形成多孔铅掩膜板的孔区域；将所述经过曝光后的芯片进行电子辐照扫描，并进行电子辐照退火；将所述经过电子辐照退火后的芯片去多孔铅金属薄膜掩膜板，去光刻胶；将所述去光刻胶后的芯片背面通过蒸发金属电极，形成芯片的阴极后，获得成品。本发明提供的FRD的制备方法能控制FRD不同区域寿命，提高FRD的关断速度，降低FRD的开关损耗。
公开日期	2014-04-09
申请日期	2012-09-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18676]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	喻巧群,吴振兴,朱阳军,等. FRD的制备方法. CN201210371807.7. 2018-07-06.