GaN基HEMT钝化前表面处理优化 | |
魏珂; 肖洋; 张昇; 张一川; 郑英奎 | |
2017-08-13 | |
英文摘要 | 本文采取HCl,H3PO4,UV照射,N2等离子和氨水处理等方式,得到1:10的HCl处理,可以有效的减小界面表面态的影响,提高肖特基势垒高度,减小钝化后肖特基的漏电。 |
文献子类 | 会议期刊 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18247] ![]() |
专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏珂,肖洋,张昇,等. GaN基HEMT钝化前表面处理优化[C]. 见:. |
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