一种对磁多畴态进行调控的方法

	一种对磁多畴态进行调控的方法
	毕冲; 龙世兵; 刘明
	2017-06-09
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410089942.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及信息数据的存储和处理技术领域，公开了一种对磁多畴态进行调控的方法，该方法是在磁性薄膜中通入电流的同时，施加一个磁场强度为0至4×105A/m的外磁场来调控磁性薄膜的磁化状态，其中电流用于推动磁性薄膜磁多畴态中的磁畴移动，外磁场用于调控磁性薄膜中新磁畴的产生和已有磁畴在移动过程中的状态，从而使磁性薄膜处于一个稳定的磁多畴态。此多畴态不会被更高或更低的电流所影响，并能在撤去电流后保持稳定。该方法可用于目前的磁存储器和未来自旋逻辑器件中的磁化状态操纵，实现非易失性的多值存储和多位逻辑运算。
公开日期	2014-05-28
申请日期	2014-03-12
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17940]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	毕冲,龙世兵,刘明. 一种对磁多畴态进行调控的方法. CN201410089942.1. 2017-06-09.